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    突破丨南宫28ng高功率半导体单管芯片功率超过100W！
    高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日，南宫28ng超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm)，工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高
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    光之盛会 | 苏州南宫28ng半导体激光创新研究院启用
    心所往 光所至，8月18日，苏州南宫28ng半导体激光创新研究院启用。
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    南宫28ng光纤耦合模块产品荣获“荣格技术创新奖”
    11月9日，在荣格工业传媒主办的“2022激光加工行业—荣格技术创新奖”颁奖典礼上，南宫28ng“640W 976nm 200μm光纤耦合模块”荣获荣格技术创新奖，这是自2018年南宫28ng首次参选荣格技术创新奖以来，连续5年获得此项殊荣。
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    南宫28ng 808nm VCSEL 激光脱毛芯片 | 新一代激光脱毛仪革命者
    南宫28ng808nm VCSEL激光芯片已在客户端批量应用，以其体积小、光束质量高、电光转化效率高、寿命长、成本低、性能稳定等优势，成为生产和制造家用手持脱毛仪的最佳选择，广受欢迎。
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